高效率
DrMOS
大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、人工智能的興起，通信基站、數(shù)據(jù)中心及自動(dòng)駕駛等終端應(yīng)用都需要耗電更大的CPU、GPU及ASIC來(lái)支持更強(qiáng)勁的算力需求。這對(duì)供電電壓調(diào)節(jié)模塊(VRM)提出了嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，包括：更高的效率、更高的功率密度，同時(shí)滿(mǎn)足極高的瞬態(tài)響應(yīng)要求。多相Buck電源（多相控制器+DrMOS）正是低壓、高功耗應(yīng)用場(chǎng)景的最佳解決方案。
DrMOS
矽力杰DrMOS方案
矽力杰SQ29670是一顆單芯片SPS/DrMOS，芯片內(nèi)部集成解耦電容，MOSFET，驅(qū)動(dòng)及控制單元，采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)封裝。通過(guò)優(yōu)化的驅(qū)動(dòng)和死區(qū)控制邏輯，能夠?qū)崿F(xiàn)高效率、高功率密度以及良好的散熱性能。通過(guò)使用AutoZero運(yùn)放，提供了高精度，快速響應(yīng)的IMON波形。嚴(yán)密的控制和保護(hù)邏輯使其能輕松兼容主流的前級(jí)控制器，適用于CPU，GPU以及POL的電源設(shè)計(jì)。
SQ29670
16V/70A集成功率級(jí)DrMOS
◆ 70A連續(xù)電流輸出能力
◆ 集成功率MOS和驅(qū)動(dòng)電路
◆ 開(kāi)關(guān)頻率高達(dá)2.0MHz
◆ 內(nèi)部集成的解耦電容
◆ 3.3V PWM輸入，兼容三態(tài)邏輯
◆ 5uA/A 精確電流采樣上報(bào)
◆ 8mV/℃ 內(nèi)部溫度采樣上報(bào)
◆ VDRV/VCC/VBST/VIN 欠壓保護(hù)
◆ 過(guò)熱保護(hù)
◆ 可編程的逐周期峰值電流保護(hù)和谷值電流保護(hù)
◆ 負(fù)電流保護(hù)
◆ 三態(tài)中自舉電容充電功能
◆ 基于TMON和IMON引腳的故障上報(bào)功能
◆ 業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的LGA5x6-41和LGA4*6-34封裝
DrMOS
典型應(yīng)用
SQ29670典型應(yīng)用框圖
SQ29670支持5V~16V的Vin電壓范圍。支持3.3V電平的PWM輸入信號(hào)并兼容三態(tài)輸入信號(hào)。死區(qū)時(shí)間，傳播延遲和驅(qū)動(dòng)邊沿的調(diào)整使其可以高效安全運(yùn)行。
SQ29670內(nèi)部集成了8mV/℃的溫度傳感器并可通過(guò)TMON實(shí)時(shí)報(bào)告溫度，25℃下典型輸出電壓為800mV。TMON內(nèi)部可上拉或下拉用作故障標(biāo)志位，同時(shí)IMON內(nèi)部可在故障時(shí)上拉或下拉到固定電平用于指示故障類(lèi)型。
SQ29670可以實(shí)時(shí)采樣內(nèi)部MOSFET的電流信息并重建為與電感電流成正比的三角波，內(nèi)建的溫度補(bǔ)償使其能達(dá)到5uA/A ±5%的精度輸出。SQ29670支持包括OCP，NOCP，OTP等多種保護(hù)，以實(shí)現(xiàn)安全可靠運(yùn)行。
SQ29670 IMON 波形
SQ29670 IMON精度曲線
SQ29670 效率曲線
SQ29670 開(kāi)關(guān)波形
Silergy
Computing Power
隨著多核架構(gòu)處理器的普及，微處理器（CPU/GPU等）所需的功率急劇增加，對(duì)電壓調(diào)節(jié)模塊（VRM）提出了更高的要求，傳統(tǒng)方案中，采用分立的上管，下管MOSFET與驅(qū)動(dòng)器來(lái)搭建電路，SPS/DrMOS將MOSFET與其驅(qū)動(dòng)器集成到單個(gè)芯片上，從而實(shí)現(xiàn)了電源的高效率和高功率密度。
SQ29670通過(guò)高度集成，與優(yōu)化設(shè)計(jì)，提供了高效率的DrMOS方案，為提高電源整體效率，減小系統(tǒng)尺寸提供了幫助。
文章及圖片來(lái)源 矽力杰
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參考資料：
WSCE
舉辦地區(qū)：廣東
展會(huì)日期：2025年08月27日-2025年08月29日
開(kāi)閉館時(shí)間：09:00-18:00
舉辦地址：深圳市福田區(qū)福華三路深圳會(huì)展中心
展覽面積：60000
觀眾數(shù)量：50000
舉辦周期：1年1屆
主辦單位：中國(guó)汽車(chē)工程學(xué)會(huì)
