2024年11月18日
第104屆中國電子展
盛大開幕
第二天展會現場持續火熱
展商、觀眾熱情高漲
現場人氣滿滿
精彩紛呈
開展第二天，我們繼續深入現場探尋，這些新興的第三代半導體企業帶來了哪些令人矚目的新看點呢？
碳化硅SiC
碳化硅作為第三代半導體的典型代表，具有高臨界磁場、高電子飽和速度與極高熱導率等特點，使得其器件適用于高頻高溫的應用場景，相較于硅器件，碳化硅器件可以顯著降低開關損耗。因此，碳化硅可以制造高耐壓、大功率的電力電子器件如MOSFET、IGBT、SBD等，用于智能電網、新能源汽車等行業。
根據市場研究機構發布的報告顯示，受益于純電動汽車應用需求的增長，2023年全球SiC（碳化硅）功率器件市場保持了強勁成長，前五大SiC功率器件供應商約占整個市場營收的91.9%。國內廠商近年來在碳化硅領域的發展也十分迅速，特別是在碳化硅功率器件方面，國內企業的市場占有率正在快速提升。
煙臺臺芯電子科技有限公司（3A066）
煙臺臺芯電子科技有限公司創立于2017年，主營業務包括IGBT芯片設計、研發，IGBT功率模塊和單管封裝、生產、檢測和銷售，以及第三代寬禁帶半導體SiC器件的研發和生產,目前公司已通過武器裝備質量管理體系、質量管理體系、環境管理體系、職業健康安全管理體系、知識產權管理體系、IATF16949汽車業質量管理體系、兩化融合體系等認證，多個系列產品通過UL、RoHS認證。
公司產品主要面向感應加熱、變頻器、光伏、儲能、新能源汽車、充電樁、風力發電、智能電網等新能源領域，先后獲得國家高新技術企業、科技型中小企業、山東省“專精特新”中小企業、山東省瞪羚企業、煙臺市一企一技術中心、煙臺市工業設計中心等稱號。
陜西半導體先導技術中心有限公司（2B012）
陜西半導體先導技術中心成立雖然不滿十年，但一直在致力于加快半導體前沿關鍵技術研發創新，推動以先進半導體器件和第三代半導體為核心的產業創新，服務于中國先進半導體的技術創新和成果轉化。
目前，碳化硅肖特基二極管已經量產4款產品，具備650V-1700V SBD芯片和器件全系列產品的研發能力；碳化硅MOSFET已經量產7款產品，具備1200V-3300V MOSFET芯片和器件全系列產品的研發能力；此外，碳化硅模塊也已量產7款產品，且正在研發1款產品。
近日，陜西半導體先導技術中心有限公司又申請了一項名為“一種帶有突出P阱的UMOSFET器件及其制備方法”的新專利。該專利的創新點在于其器件設計和制備工藝，旨在顯著改善UMOSFET（絕緣柵雙極型場效應晶體管）的性能。這一技術的突破，預示著未來半導體器件的發展將邁出重要的一步。
氮化鎵GaN
氮化鎵作為第三代半導體材料的佼佼者，憑借其優異的電氣性能、高熱導率、電子飽和率和耐輻射性等特性，在半導體功率器件領域展現出巨大潛力。與傳統的硅材料相比，氮化鎵能夠在更高的頻率和功率下工作，顯著提升設備的性能和效率。這一優勢使得氮化鎵在消費電子、電動汽車、數據中心等多個領域得到廣泛應用。
隨著氮化鎵技術的不斷成熟和應用領域的不斷拓展，其市場規模正呈現出爆發式增長態勢。據預測，到2030年，氮化鎵市場規模有望達到數十億美元。面對氮化鎵技術的廣闊市場前景，國際芯片巨頭紛紛加大布局力度。與此同時，國內廠商也在積極追趕，不斷提升自身在氮化鎵領域的競爭力。
杭州東漸氮化鎵半導體有限公司（2A062）
杭州東漸氮化鎵半導體有限公司作為一家專注于氮化鎵半導體技術研發的新興企業，致力于推動氮化鎵技術在電力電子、低空探測導航控制、5G/6G通信、新能源汽車、醫療等領域的創新應用，為客戶提供氮化鎵半導體解決方案。
雖然成立僅有半年多，但在場景應用落地方面，杭州東漸氮化鎵半導體有限公司卻下有先手。不久前，該公司即與上海海神機器人科技有限公司簽署戰略合作協議，雙方將聯合研發適用于海、陸、空機器人的新一代高性能芯片；同時，打造“光儲充一體化”與“智慧物業管理機器人”的多場景應用，實現多維度降本增效。
上海海神機器人科技有限公司是知名“無人車+無人機+無人船”立體安防無人裝備制造商，核心技術包括自動駕駛、遠程駕駛、艦載起降、域控制器、整車制造和智控云平臺等。達成戰略合作，有望推動氮化鎵技術在機器人領域的滲透應用，因為氮化鎵技術的應用可以提高機器人驅動系統的能效比、熱管理性能，并實現更緊湊的設計。氮化鎵器件的高速開關特性也有助于提高開關頻率，減少電機電流紋波，降低電機溫度，提升系統效率。
廣東中科半導體微納制造技術研究院（2B050）
廣東中科半導體微納制造技術研究院一期投入12億元，在半導體芯片領域布局“半導體微納加工、半導體材料外延與表征”兩大中試平臺，二、三期打造華南地區條件最完善、產業鏈覆蓋最齊全的技術驅動型半導體產業園，通過中試平臺+產業孵化育成模式，建設具有全國影響力的半導體工程化創新平臺、產業培育基地及工程化人才培養基地。
該單位的半導體微納加工平臺，具備8英寸硅晶圓及8英寸硅基氮化鎵（GaN）晶圓加工能力，并兼容2英寸、4英寸、6英寸晶圓加工，提供中試流片、產線共建、技術咨詢等服務；半導體材料外延與表征平臺，可提供2-8英寸氮化鎵材料外延生長、材料（器件）表征測試、器件封裝等服務。佛山半導體產業園，聚焦芯片制造及其上下游領域，建有千級、萬級超凈廠房超5萬平米，資質完善、配套齊全，實現企業入駐即生產。
金剛石
金剛石相對于碳化硅和氮化鎵略欠成熟，但因其具有超寬禁帶、高擊穿場強、高載流子飽和漂移速度、高熱導率等材料特性，以及優異的器件品質因子，作為襯底可研制高溫、高頻、大功率、抗輻照電子器件，克服器件的“自熱效應”和“雪崩擊穿”等技術瓶頸。
這些特性使得金剛石在芯片制造領域展現出巨大潛力，常被用于高功率密度、高頻率電子器件的散熱。在5G/6G通信，微波/毫米波集成電路、探測與傳感等領域發展起到重要作用。金剛石半導體也因此被認為是極具前景的新型半導體材料，被業界譽為“終極半導體材料”。
河南科之誠第三代半導體碳基芯片有限公司（2A068）
河南科之誠第三代半導體碳基芯片有限公司作為國內金剛石半導體行業的領先企業，在其金剛石晶圓產線正式投產，并發布了首款產品——3.5GHz金剛石基聲表面波高頻濾波器之后，使這一采用全新技術路線、具備顛覆性創新的產品，終于從實驗室走到了生產線。
該公司選擇金剛石作為晶圓材料，借助其極高的硬度、優異的導熱性和介電損耗等優異性能，攻克了大面積硅基異質金剛石薄膜沉積、多元素重摻雜壓電薄膜沉積等關鍵工藝，通過在材料和工藝兩方面的創新，繞開了國外的專利壁壘，成功實現了金剛石基壓電多層膜晶圓的規模化生產，使高頻濾波器的生產工藝大大簡化，例如過去20道光刻才能實現的高頻濾波器的電路集成，金剛石基晶圓片上只需2道即可完成。基于此，金剛石基的高頻濾波器還做到了尺寸縮短45%，成本減少90%。
除了濾波器，該公司還發布了一款金剛石基功率放大器，這同樣是射頻芯片的重要部件之一，據介紹，相較于傳統材料的功率放大器，新品可實現同等運行性能下溫度降低25%以上。
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參考資料：
China Electronics Fair
舉辦地區：上海
展會日期：2025年11月05日-2025年11月07日
開閉館時間：09:00-18:00
舉辦地址：上海市浦東新區龍陽路2345號
展覽面積：60000
觀眾數量：60158
舉辦周期：1年1屆
主辦單位：中國電子器材有限公司
